一种宽频带微带线垂直过渡结构设计
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西南交通大学物理科学与技术学院 成都 610031

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中图分类号:

TM134

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Design of wideband vertical microstrip transition
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Affiliation:

School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031,China

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    摘要:

    针对微波多层电路的微带线垂直过渡问题,提出了一种新型的、适用于毫米波频段的微带线垂直过渡结构,通过微带线上的补偿结构实现了匹配设计,使得微波信号在微波多层结构中跨层传输。该过渡电路结构具有信号传输损耗小、频带宽,易于加工的特性,在微波电路设计方面具有较高的实用价值。将该微带线垂直过渡结构在三维电磁场仿真软件中进行了建模,并进行了实物加工和测试。实物测试结果表明,在0.5~38 GHz的频带范围内插入损耗小于2.7 dB(含两个K2.92 mm接头及微带传输线损耗),回波损耗大于9 dB。

    Abstract:

    Aiming at vertical microstrip transition in multilayer designs, a novel structure of millimeter vertical microstriptomicrostrip is proposed in this paper. In this design, the vertical microstrip transition implements matching through compensation structure on the microstrip. Then the microwave signal can transmit in different layers. It has the advantages of low insertion loss, broadband and easy to produce. All this indicates the structure has a good applicable worthiness in microwave circuit designs. The proposed structure is designed by software, then fabricated and tested. The results show that the insertion loss and return loss is respectively below 2.7 dB (include the insertion loss of two K2.92 mm joints and microstrip transmission line) and above 9 dB from 0.5 GHz to 38 GHz.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

郭晓东,熊祥正.一种宽频带微带线垂直过渡结构设计[J].电子测量技术,2017,40(8):10-13

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  • 在线发布日期: 2017-09-23
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